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      半導體檢測高低溫沖擊試驗箱

      發布時間:2025-02-14

      訪問次數:1532

      簡要描述:

      半導體檢測高低溫沖擊試驗箱采用整體式組合結構形式,既試驗箱由位于上部的高溫試驗箱,位于下部的低溫試驗箱體、位于后部的制冷機組柜和位于左側后板上的電器控制柜(系統)所組成。此方式箱體占地面積小、結構緊湊、外形美觀,制冷機組置于獨立的機組箱體內,以減少制冷機組運行時的震動、噪聲對試驗箱的影響,同時便于機組的安裝和,電器控制面板置于試驗箱的左側板上以便于運行操作。。

      詳細介紹

      半導體檢測高低溫沖擊試驗箱采用整體式組合結構形式,既試驗箱由位于上部的高溫試驗箱,位于下部的低溫試驗箱體、位于后部的制冷機組柜和位于左側后板上的電器控制柜(系統)所組成。此方式箱體占地面積小、結構緊湊、外形美觀,制冷機組置于獨立的機組箱體內,以減少制冷機組運行時的震動、噪聲對試驗箱的影響,同時便于機組的安裝和,電器控制面板置于試驗箱的左側板上以便于運行操作。


      半導體檢測高低溫沖擊試驗箱主要技術指標:

      技術參數


      1. 溫度范圍:-20℃~200℃(A)、-40℃~200℃(B)、-60℃~200℃(C);


      2. 樣品吊籃:(WDCJ-100)350×350×380、(WDCJ-300)520 ×520×580;


      3. 吊籃承重:(WDCJ-100)15Kg、(WDCJ-300)18Kg;


      4. 試驗區:①溫度波動度±0.5℃(溫度恒定后),②溫度偏差≤3℃;


      5. 高低溫區:溫度波動度≤±2.0℃;


      6. 升溫速率:1.0~3.0℃/min;


      7. 降溫速度:0.7~1.0℃/min;


      8. 溫度轉換時間:≤15s(樣品從高溫區到低溫區或從低溫區到高溫區);


      9. 溫度恢復時間:≤15min


      10. 電源電壓:AC380±10%V  50Hz



       


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